DS1245AB-100 备选型号: DS1245W-100

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 附加功能
  • 频率
  • 工作电源电压
  • 工作电源电流
  • 数据总线宽度
  • 密度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Maxim Integrated
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
    9 Weeks
    通孔
    32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
    NO
    32
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    32
    3A991.B.2.A
    Matte Tin (Sn)
    8473.30.11.40
    4.75V~5.25V
    DUAL
    未说明
    1
    5V
    2.54mm
    not_compliant
    未说明
    DS1245AB
    32
    不合格
    5.25V
    5V
    4.75V
    1Mb 128K x 8
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    128KX8
    8
    100ns
    0.0006A
    1048576 bit
    100 ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Maxim Integrated
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
    11 Weeks
    通孔
    32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
    -
    32
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    32
    3A991.B.2.A
    -
    8473.30.11.40
    3V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3.3V
    2.54mm
    -
    -
    DS1245W
    32
    -
    3.6V
    -
    3V
    1Mb 128K x 8
    -
    NVSRAM
    Parallel
    128KX8
    8
    100ns
    0.00025A
    -
    100 ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    通孔
    10 YEAR DATA RETENTION
    100GHz
    3.3V
    50mA
    8b
    1 Mb
    Unknown
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